Özet:
Yarı iletkenler, elektronik devre teknolojisinin temelini oluşturduğu için yarıiletken teknolojisinde, temel elektronik yapı elemanlarının fiziksel ve elektronik özelliklerini araştırmak önem taşımaktadır. Yarı iletkenlerin özellikle optik özelliklerini incelemek için onları katı ince film haline getirmek önemli hale gelmiştir. Bu çalışmada, yeni sentezlenen N-N' -Bis(3,5-di-t-bütilsalisilaldimin)-1,4-bis- (m-aminolenoksi)bütan Ligandının(L3H2) Cu(II) ile Kompleksi (CuL3) ve N-N' -Bis(3,5-di-tbütilsalisilaldimin)- 1,4-bis-(p-aminofenoksi)bütan Ligandnın(L4H2) Co(II) ile Kompleksi(CoL4 )’nin optik özellikleri incelendi. Numuneler spin coating yöntemi ile ince film haline getirildi. Numunelerin oda sıcaklığında ki soğurma spektrumu alınarak malzemelerin yasak enerji aralıkları belirlendi. Filmlerin band aralıkları (CuL3) numunesi için (C1-C4) 2.5–2.6 eV aralığında, (CoL4) numunesi için (C5-C8) 3–3.2 eV aralığında elde edilmiştir. Elipsometre cihazı kullanılarak numunenin kırılma indisi, dielekrik sabiti gibi sabitleri belirlendi. İnce film haline getirilen komplekslerin film kalınlıkları ve optik sabitlerinin(n, k, ε1, ε2) dalga boyuna göre değişimi 380–900 nm aralığında spektrometrik elipsometre kullanılarak ölçüldü. Buna göre C1 filmi için film kalınlığı 128.17 ± 1.743 nm, C2 filmi için 79.18 ± 4.471 nm, C3 filmi için 48.79 ± 1.256 nm, C4 filmi için 101 ± 0.943 nm, C5 filmi için 139.91 ± 1.725 nm, C6 filmi için 128.1 ± 8.752 nm, C7 filmi için 86.17 ± 9.697 nm ve C8 filmi için 40.48 ± 3.86 nm olarak elde edildi.
