Abstract:
Bu tez çalışmasında katkısız, kobalt (CoO), C20H13N3Cl2Co ve C16H11N3Cl2Co katkılı (0, 0.02, 0.04 ve 0.06) çinko oksit (ZnO) ince filmler Sol-Jel spin kaplama tekniği ile üretilmiştir. Üretilen ince filmler 500 °C’ de 1 saat tavlanmıştır. Üretilen filmlerin yapısal ve optik özellikleri SEM, XRD, UV-Vis ve FT-IR spektroskopisi kullanılarak belirlendi. Ayrıca, kobalt ve konjuge cobalt katkılı filmlerin ZnO’in elektriksel iletkenlikleri ve radyasyon zırhlama özellikleri araştırılmıştır. İnce filmlerin radyasyon zırhlama parametreleri (MAC, LAC, MFP, HVL ve Zet) 186,1-1764,5 keV enerji aralığında ULEGe dedektörlü gama spektrometresinde belirlenmiştir. XRD sonuçları üretilen tüm ZnO filmlerin altıgen wurtzite kristal yapıya sahip olduğunu ve kobalt ve konjuge Co katkısına bağlı ikincil bir kristal fazın bulunmadığını ortaya çıkarmıştır. Artan Co oranına bağlı olarak (110) kristal düzleminde bir artış gözlemlenmiştir. Üretilen tüm filmlerin yüzey görüntüleri kararlı yapıların oluştuğu tespit edilmiştir. UV-Vis incelemeleri filmlerin bant boşluklarının 2.79 ile 3.13 eV arasında değiştiğini ve kırılma indisinin 2.39 eV civarında olduğunu göstermiştir. ZnO ince filmin elektriksel iletkenliği 1.5 10-7 (S/cm) olarak elde edilmiştir. Kobalt katkı miktarı %0'dan %6 arttıkça iletkenlik 1,5 ± 10-7'den 2,26 ± 10-10'a (S/cm) a düşmüştür.
