Özet:
AlxGa1-xAs/GaAs asimetrik yarı-parabolik kuantum kuyusunun ilk iki seviyesi için elektron yoğunluğu, optiksel doğrultma katsayısı, lineer, lineer olmayan ve toplam soğurma katsayılarının sıcaklık etkileri incelenmiştir. Elektromanyetik İndüklenmiş Saydamlıkta (EİS) aynı yapının ilk üç seviyesi için lineer alınganlık ve soğurma katsayısının konuma bağlılığı araştırılmıştır. ANAHTAR KELİMELER: kuantum kuyuları, lineer ve lineer olmayan optik, optiksel doğrultma, yoğunluk matris formalizmi, soğurma katsayıları
For the first AlxGa1-xAs/GaAs Asymmetric semi-parabolic quantum well model, the electrondensity of the ground state that depends on the temperature can be analytically calculated. It has shown that this structure has a significant effect on OR coefficient for the electron density related to the temperature. For the first three levels of the same structure for Electromagnetically Induced Transparency (EIT), the linear susceptibility and the position dependent absorption coefficient are calculated theoretically. KEY WORDS: quantum wells, linear and nonlinear optics, optical rectification, density matrix formulation, absorption coefficients
