Bakır ve kobalt içeren bazı metal komplekslerinin optik özellikleri / Optical properties of some metal complexes including the Cu and Co

Abstract

Yarı iletkenler, elektronik devre teknolojisinin temelini olusturdugu için yarıiletken teknolojisinde, temel elektronik yapı elemanlarının fiziksel ve elektronik özelliklerini arastırmak önem tasımaktadır. Yarıiletkenlerin özellikle optik özelliklerini incelemek için onları katı ince film haline getirmek önemli hale gelmistir. Bu çalısmada, yeni sentezlenen N-N' -Bis(3,5-di-t-bütilsalisilaldimin)-1,4-bis- (m-aminolenoksi)bütan Ligandının(L3H2) Cu(II) ile Kompleksi (CuL3) ve N-N' -Bis(3,5-di-tbütilsalisilaldimin)- 1,4-bis-(p-aminofenoksi)bütan Ligandnın(L4H2) Co(II) ile Kompleksi(CoL4)'nin optik özellikleri incelendi. Numuneler spin coating yöntemi ile ince film haline getirildi. Numunelerin oda sıcaklıgında ki sogurma spektrumu alınarak malzemelerin yasak enerji aralıkları belirlendi. Filmlerin band aralıkları (CuL3) numunesi için (C1-C4) 2.5?2.6 eV aralıgında, (CoL4) numunesi için (C5-C8) 3?3.2 eV aralıgında elde edilmistir. Elipsometre cihazı kullanılarak numunenin kırılma indisi, dielekrik sabiti gibi sabitleri belirlendi. nce film haline getirilen komplekslerin film kalınlıkları ve optik sabitlerinin(n, k, 1, 2) dalga boyuna göre degisimi 380?900 nm aralıgında spektrometrik elipsometre kullanılarak ölçüldü. Buna göre C1 filmi için film kalınlıgı 128.17 ± 1.743 nm, C2 filmi için 79.18 ± 4.471 nm, C3 filmi için 48.79 ± 1.256 nm, C4 filmi için 101 ± 0.943 nm, C5 filmi için 139.91 ± 1.725 nm, C6 filmi için 128.1 ± 8.752 nm, C7 filmi için 86.17 ± 9.697 nm ve C8 filmi için 40.48 ± 3.86 nm olarak elde edildi. ANAHTAR KELMELER: Metal kompleks, Yasak enerji aralıgı, Yarıiletken, Spin Kaplama, Since semiconductors constitute the foundation of the electronic circuit technology, it is essential to examine the physical and electronic properties of the basic construction elements of electronics. It has been important to transform the semiconductors into solid thin films in order to be able to examine especially their optical properties. In this study, the electrical and optic properties of the newly synthesized complex of the ligand(L3H2) of N-N? ? Bis (3,5-di-t-butylsalycylatimin)-1,4-bis-(maminolenoxy) butane with Cu(II) (CuL3), and the complex(CoL4) of the ligand of N-N?-Bis (3,5-di-tbutylsalycylatimin)- 1,4-bis-(p-aminophenoxy)butane (L4H2) with Co(II) were examined. The samples were shaped into thin film by using spin coating technique. The energy band gaps of the materials were obtained from the absorption spectra of the samples at room temperature. The band gaps of the films were found in the range of 2.5-2.6 eV (C1-C4) for the sample CuL3, and as 3-3.2 eV (C5-C8) for the sample CoL4. The refraction index and dielectric coefficient of the samples were determined by using the ellipsometer. Thickness and optical coefficients ( n, k, 1 and 2 ) of the filmed complexes were measured by using a spectroscopic ellipsometer in the 380-900 nm wavelength range. According to that, the film thickness was 128.17+-1.743 nm for the film C1; 79.18 ± 4.471 nm for C2; 48.89 ± 1.256 nm for C3; 101 ± 0.943 nm for C4; 139.91 ± 1.725 nm for C5; 128.1 ± 8.752 nm for C6; 86.17 ± 9.697 nm for C7; and 40.48 ± 3.86 nm for C8. KEY WORDS : Metal Complex, Energy gap , Semiconductor, Ellipsometer, Spin Coating